Samsung:memorie mobili otto volte più veloci

Samsung ha realizzato nuovi chip mobile per tablet e smartphone che garantiscono un bandwidth otto volte maggiore rispetto alle DRAM mobile attuali. L’azienda sud coreana ha annunciato la produzione – con processo produttivo a 50 nanometri – di una DRAM da 1 Gb capace di trasmettere dati a 12,8 GB/s. Il risultato è superiore di ben quattro volte rispetto alle DRAM LPDDR2 (3,2 GB/s).

Per raggiungere questo traguardo Samsung ha usato 512 pin per dati input e output, mentre per le precedenti generazioni aveva usato 32 pin. Includendo anche i pin coinvolti nell’invio di comandi e nella gestione dell’alimentazione, una singola DRAM è progettata per ospitare 1200 pin. Oltre alle capacità di I/O superiori, i nuovi chip consumano anche l’87 percento in meno rispetto alle DRAM attuali grazie al processo produttivo inferiore. L’azienda ha già fatto sapere che non intende fermarsi , ma di riuscire a realizzare chip con bandwidth elevato da 4 Gigabit e processo produttivo a 20 nanometri nel corso del 2013.

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